需要注意的是，上坟水平机器学习的范围非常庞大，有些算法很难明确归类到某一类。

比研  原文详情：https://doi.org/10.1002/aenm.202204177本文由K.L撰稿。究生h)归一化的CoK-edgeXANES光谱。

四、论文【数据概览】图1a)RuCo-CAT的合成图和分子堆积模型。因此，上坟水平开发导电MOF在HER方面优于商业Pt/C，在OER方面优于IrO2/RuO2，仍然具有很大挑战性。比研c)在CC基板上生长的RuCo-CAT的SEM图像。

©2023Wiley图2a)RuCo-CAT、究生Co-CAT的XPS光谱。d) RuCo-CAT/CC、论文RhCo-CAT/CC、IrCo-CAT/CC和Co-CAT/CC在碱性介质中对HER的Cdl值。

实验结果和理论计算均表明，上坟水平掺杂金属和Co原子的电子结构都发生了调整，导致掺杂Co-CATNRA中存在双活性位点，从而独立催化HER和OER。

比研f)MCo-CAT/CC在HER过程中的稳定性测试。究生Am（VI）/Eu（III）的分离因子为780。

经过优化的Li0.388Ta0.238La0.475Cl3电解质，论文在30℃时具有3.02mScm-1的Li+导电率和0.197eV的低激活能。上坟水平PeipeiZuo,ChunchunYe,ZhongrenJiao共同一作。

Am（III）氧化为Am（VI）产生与Ln（III）离子不同的AmO22+离子，比研能够促进分离。他们在铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)弛豫铁电单晶中，究生通过晶体切型、晶体组分和极化工艺的协同设计，获得了理想的层状畴结构。